台积电(TSMC)作为全球领先的半导体制造商，一直以来都在推动着先进制程技术的发展。近日，台积电宣布其2nm制程节点将首次采用环绕栅极晶体管(Gate-all-around FETs，简称GAAFET)技术，并且N2工艺还将支持NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了更为灵活的标准元件。与现有的N3E工艺相比，N2工艺在性能和功耗方面均有显著提升，预计在相同功率下性能提升可达10%到15%，或者在相同频率下功耗降低25%到30%，同时晶体管密度也将提升15%。 　　成本分析：2nm晶圆价格飙升 　　根据相关报道，台积电每片300毫米直径的2nm晶圆的价格可能会超过3万美元，这一数字远高于先前预期的2.5万美元。相比之下，目前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间，而4/5nm晶圆的价格则在1.5到1.6万美元区间。由此可见，2nm晶圆的价格将有大幅度的提升。 　　投资与产能扩张 　　为了满足市场对2nm工艺技术的强大需求，台积电持续加大了对该制程节点的投资力度。2nm晶圆厂将分布在台湾北部的新竹宝山、中部的台中中科以及南部的高雄楠梓地区。新的工艺流程将增加极紫外光刻(EUV)步骤，甚至可能会采用双重曝光技术，这无疑将使得成本高于3nm制程节点。 　　生产计划与客户预期 　　台积电计划于2025年下半年开始N2工艺的批量生产，这意味着客户最早可以在2026年之前收到首批采用N2工艺制造的芯片。据推测，苹果公司将是N2工艺的首个客户，这也符合苹果一直以来追求尖端技术的传统。